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पावर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में जीटीओ स्नबर कैपेसिटर

संक्षिप्त वर्णन:

स्विचिंग सर्किट में उपयोग किए जाने वाले डायोड के लिए स्नबर सर्किट आवश्यक हैं।यह डायोड को ओवरवॉल्टेज स्पाइक्स से बचा सकता है, जो रिवर्स रिकवरी प्रक्रिया के दौरान उत्पन्न हो सकता है।


वास्तु की बारीकी

उत्पाद टैग

तकनीकी डाटा

तापमान रेंज आपरेट करना अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान, शीर्ष, अधिकतम: + 85℃ ऊपरी श्रेणी का तापमान: +85℃ निचली श्रेणी का तापमान: -40℃
समाई सीमा

0.22~3μF

रेटेड वोल्टेज

3000V.DC~10000V.DC

कैप.टोल

±5%(जे);±10%(के)

जोरदार प्रतिरोध

1.35यूएन डीसी/10एस

अपव्यय कारक

tgδ≤0.001 f=1KHz

इन्सुलेशन प्रतिरोध

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S पर)

C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S पर)

स्ट्राइक करंट का सामना करें

डेटाशीट देखें

जीवन प्रत्याशा

100000h(Un; Θhotspot≤70°C)

संदर्भ मानक

आईईसी 61071 ;

विशेषता

1. माइलर टेप, राल से सील;

2. कॉपर नट लीड;

3. उच्च वोल्टेज, कम tgδ, कम तापमान वृद्धि का प्रतिरोध;

4. कम ईएसएल और ईएसआर;

5. हाई पल्स करंट.

आवेदन

1. जीटीओ स्नबर।

2. बिजली इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है जब पीक वोल्टेज, पीक वर्तमान अवशोषण संरक्षण।

विशिष्ट सर्किट

1

बाह्य रेखा आरेखण

2

विनिर्देश

अन=3000V.DC

धारिता (μF)

φD (मिमी)

एल(मिमी)

एल1(मिमी)

ईएसएल(एनएच)

डीवी/डीटी(वी/μS)

आईपीके(ए)

इरम्स(ए)

0.22

35

44

52

25

1100

242

30

0.33

43

44

52

25

1000

330

35

0.47

51

44

52

22

850

399

45

0.68

61

44

52

22

800

544

55

1

74

44

52

20

700

700

65

1.2

80

44

52

20

650

780

75

1.5

52

70

84

30

600

900

45

2.0

60

70

84

30

500

1000

55

3.0

73

70

84

30

400

1200

65

4.0

83

70

84

30

350

1400

70

अन=6000V.DC

धारिता (μF)

φD (मिमी)

एल(मिमी)

एल1(मिमी)

ईएसएल(एनएच)

डीवी/डीटी(वी/μS)

आईपीके(ए)

इरम्स(ए)

0.22

43

60

72

25

1500

330

35

0.33

52

60

72

25

1200

396

45

0.47

62

60

72

25

1000

470

50

0.68

74

60

72

22

900

612

60

1

90

60

72

22

800

900

75

 

अन=7000V.DC

धारिता (μF)

φD (मिमी)

एल(मिमी)

एल1(मिमी)

ईएसएल(एनएच)

डीवी/डीटी(वी/μS)

आईपीके(ए)

इरम्स(ए)

0.22

45

57

72

25

1100

242

30

0.68

36

80

92

28

1000

680

25

1.0

43

80

92

28

850

850

30

1.5

52

80

92

25

800

1200

35

1.8

57

80

92

25

700

1260

40

2.0

60

80

92

23

650

1300

45

3.0

73

80

92

22

500

1500

50

 

अन=8000V.DC

धारिता(μF)

φD (मिमी)

एल(मिमी)

एल1(मिमी)

ईएसएल(एनएच)

डीवी/डीटी(वी/μS)

आईपीके(ए)

इरम्स(ए)

0.33

35

90

102

30

1100

363

25

0.47

41

90

102

28

1000

470

30

0.68

49

90

102

28

850

578

35

1

60

90

102

25

800

800

40

1.5

72

90

102

25

700

1050

45

2.0

83

90

102

25

650

1300

50

 

अन=10000V.DC

धारिता (μF)

φD (मिमी)

एल(मिमी)

एल1(मिमी)

ईएसएल(एनएच)

डीवी/डीटी(वी/μS)

आईपीके(ए)

इरम्स(ए)

0.33

45

114

123

35

1500

495

30

0.47

54

114

123

35

1300

611

35

0.68

65

114

123

35

1200

816

40

1

78

114

123

30

1000

1000

55

1.5

95

114

123

30

800

1200

70


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