मेटलाइज्ड फिल्म आईजीबीटी स्नबर कैपेसिटर

संक्षिप्त वर्णन:

1. प्लास्टिक का आवरण, राल से सीलबंद;

2. टिन-प्लेटेड कॉपर इंसर्ट लीड्स, आईजीबीटी के लिए आसान इंस्टॉलेशन;

3. उच्च वोल्टेज के प्रति प्रतिरोध, कम tgδ, कम तापमान वृद्धि;

4. निम्न ईएसएल और ईएसआर;

5. उच्च पल्स करंट।

हमें ईमेल भेजें पीडीएफ के रूप में डाउनलोड करें

उत्पाद विवरण

उत्पाद टैग

एसएमजे-पी श्रृंखला

पावर इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों में, विद्युत तारों के परजीवी प्रेरकत्व को कम करने के उद्देश्य से एक स्नबर कैपेसिटर को उच्च-धारा स्विचिंग नोड से जोड़ा जाता है।

पैरासिटिक इंडक्टेंस स्विच-ऑफ के समय (जब करंट अवरुद्ध होता है) एक बड़ा उछाल पैदा करता है, और यदि ऐसे उछाल घटक रेटिंग से अधिक हो जाते हैं, तो सबसे खराब स्थिति में परिणामी विफलता की आशंका रहती है।

कम इंडक्टेंस वाली आंतरिक संरचनाओं, वैकल्पिक मोल्डेड रेजिन केस और अनुकूलित टर्मिनेशन का उपयोग करके, SMJ-P सीरीज को फास्ट स्विचिंग IGBTS के लिए डिज़ाइन किया गया है और यह स्नबर और हाई करंट हाई फ्रीक्वेंसी इनपुट फिल्टर के रूप में काम कर सकती है।

तकनीकी डाटा

वोल्टेज	Un 700V.DC, Urms400Vac; Us1050V
	आयाम (मिमी)
सीएन(μF)	एल(±1)	टी(±1)	एच(±1)	ईएसआर @100केएचएच (mΩ)	ईएसएल(एनएच)	डीवी/डीटी (वी/μएस)	आईपीके(ए)	40℃ पर 100 किलोहर्ट्ज़ (ए) पर आईआरएम
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
वोल्टेज	Un 1000V.DC, Urms 500Vac; Us 1500V
	आयाम (मिमी)
सीएन(μF)	एल(±1)	टी(±1)	एच(±1)	ईएसआर (mΩ)	ईएसएल(एनएच)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएम
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
वोल्टेज	UN 1200V.DC, Urms 550Vac; Us 1800V
सीएन(μF)	एल(±1)	टी(±1)	एच(±1)	ईएसआर (mΩ)	ईएसएल(एनएच)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएम
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
वोल्टेज	UN 1700V.DC, Urms 575Vac; Us 2250V
सीएन(μF)	एल(±1)	टी(±1)	एच(±1)	ईएसआर (mΩ)	ईएसएल(एनएच)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएम
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
वोल्टेज	Un 2000V.DC, Urms700Vac; Us3000V
सीएन(μF)	एल(±1)	टी(±1)	एच(±1)	ईएसआर (mΩ)	ईएसएल(एनएच)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएम
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
वोल्टेज	UN 3000V.DC, Urms 750Vac; Us 4500V
सीएन(μF)	एल(±1)	टी(±1)	एच(±1)	ईएसआर (mΩ)	ईएसएल(एनएच)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएम
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28