आईजीबीटी पावर इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों के लिए हाई पीक करंट स्नबर फिल्म कैपेसिटर डिजाइन

संक्षिप्त वर्णन:

आईजीबीटी स्नबर एसएमजे-पी

1. प्लास्टिक केस, राल से सील;

2. टिन-प्लेटेड तांबा आवेषण लीड, आईजीबीटी के लिए आसान स्थापना;

3. उच्च वोल्टेज, कम tgδ, कम तापमान वृद्धि का प्रतिरोध;

4. कम ईएसएल और ईएसआर;

5. हाई पल्स करंट.

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वास्तु की बारीकी

उत्पाद टैग

तकनीकी डाटा

तापमान रेंज आपरेट करना	अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान, शीर्ष, अधिकतम: +105℃ ऊपरी श्रेणी का तापमान: +85℃ निचली श्रेणी का तापमान: -40℃
समाई सीमा	0.1μF～5.6μF
रेटेड वोल्टेज	700V.DC～3000V.DC
कैप.टोल	±5%(जे);±10%(के)
जोरदार प्रतिरोध	1.5यूएन डीसी/10एस
अपव्यय कारक	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (at20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
स्ट्राइक करंट का सामना करें	डेटाशीट देखें
ज्वाला मंदता	UL94V 0
जीवन प्रत्याशा	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
संदर्भ मानक	आईईसी61071;जीबी/टी17702;

विशिष्टता तालिका

वोल्टेज	अन 700V.DC, Urms400Vac;Us1050V
	आयाम (मिमी)
सीएन(μF)	एल(±1)	टी(±1)	एच(±1)	ईएसआर @100KHz (mΩ)	ईएसएल(एनएच)	डीवी/डीटी (वी/μS)	आईपीके(ए)	इर्म्स @40℃ @100KHz (ए)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
वोल्टेज	अन 1000V.DC, Urms500Vac;Us1500V
	आयाम (मिमी)
सीएन(μF)	एल(±1)	टी(±1)	एच(±1)	ईएसआर (एमΩ)	ईएसएल(एनएच)	डीवी/डीटी(वी/μS)	आईपीके(ए)	इर्म्स
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
वोल्टेज	अन 1200V.DC, Urms550Vac;Us1800V
सीएन(μF)	एल(±1)	टी(±1)	एच(±1)	ईएसआर (एमΩ)	ईएसएल(एनएच)	डीवी/डीटी(वी/μS)	आईपीके(ए)	इर्म्स
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
वोल्टेज	अन 1700V.DC, Urms575Vac;Us2250V
सीएन(μF)	एल(±1)	टी(±1)	एच(±1)	ईएसआर (एमΩ)	ईएसएल(एनएच)	डीवी/डीटी(वी/μS)	आईपीके(ए)	इर्म्स
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
वोल्टेज	Un 2000V.DC, Urms700Vac;Us3000V
सीएन(μF)	एल(±1)	टी(±1)	एच(±1)	ईएसआर (एमΩ)	ईएसएल(एनएच)	डीवी/डीटी(वी/μS)	आईपीके(ए)	इर्म्स
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
वोल्टेज	अन 3000V.DC, Urms750Vac;Us4500V
सीएन(μF)	एल(±1)	टी(±1)	एच(±1)	ईएसआर (एमΩ)	ईएसएल(एनएच)	डीवी/डीटी(वी/μS)	आईपीके(ए)	इर्म्स
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28