2018 उच्च गुणवत्ता वाला हाई पावर फिल्म कैपेसिटर - पावर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में GTO स्नबर कैपेसिटर – CRE

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2018 उच्च गुणवत्ता वाला हाई पावर फिल्म कैपेसिटर - पावर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में GTO स्नबर कैपेसिटर - CRE विवरण:

तकनीकी डाटा

तापमान रेंज आपरेट करना	अधिकतम परिचालन तापमान: +85℃, ऊपरी श्रेणी का तापमान: +85℃, निचली श्रेणी का तापमान: -40℃
धारिता सीमा	0.22～3μF
रेटेड वोल्टेज	3000V.DC～10000V.DC
कैप.टोल	±5%(J) ;±10%(K)
सहन वोल्टेज	1.35Un DC/10S
क्षय कारक	tgδ≤0.001 f=1KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S पर) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S पर)
आघात धारा का सामना करना	डेटाशीट देखें
जीवन प्रत्याशा	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
संदर्भ मानक	आईईसी 61071 ;

विशेषता

1. मायलर टेप, रेजिन से सील किया हुआ;

2. तांबे की नट लीड;

3. उच्च वोल्टेज के प्रति प्रतिरोध, कम tgδ, कम तापमान वृद्धि;

4. निम्न ईएसएल और ईएसआर;

5. उच्च पल्स करंट।

आवेदन

1. जीटीओ स्नबर।

2. पीक वोल्टेज और पीक करंट अवशोषण सुरक्षा के दौरान पावर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में इसका व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है।

विशिष्ट सर्किट

रूपरेखा रेखाचित्र

विनिर्देश

Un=3000V.DC
धारिता (μF)	φD (मिमी)	एल (मिमी)	एल1 (मिमी)	ईएसएल(एनएच)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	इरम्स(ए)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
धारिता (μF)	φD (मिमी)	एल (मिमी)	एल1 (मिमी)	ईएसएल(एनएच)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	इरम्स(ए)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
धारिता (μF)	φD (मिमी)	एल (मिमी)	एल1 (मिमी)	ईएसएल(एनएच)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	इरम्स(ए)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
धारिता (μF)	φD (मिमी)	एल (मिमी)	एल1 (मिमी)	ईएसएल(एनएच)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	इरम्स(ए)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
धारिता (μF)	φD (मिमी)	एल (मिमी)	एल1 (मिमी)	ईएसएल(एनएच)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	इरम्स(ए)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70

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कुवैत की मारिया द्वारा - 30.12.2018, 10:21

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वैनेसा द्वारा, ज़ाम्बिया से - 12.11.2017, 12:31